自愈式低電壓并聯(lián)電容器是一種在極間介質(zhì)發(fā)生擊穿時(shí)，擊穿點(diǎn)周圍的金屬化電極層就會(huì)迅速蒸發(fā)，自動(dòng)恢復(fù)電容器性能的低電壓并聯(lián)電容器。在這種電容器中因?yàn)椴捎谜舭l(fā)在介質(zhì)層上的金屬化層作電極，所以也稱為金屬化電容器。自愈式低電壓并聯(lián)電容器(以下簡稱自愈式電容器)主要在標(biāo)稱電壓1kV及以下交流電力系統(tǒng)中用于改善功率因數(shù)。

BSMJ型自愈式低壓并聯(lián)電容器是專門用來改善標(biāo)稱電壓為1kV以下、頻率為15Hz～60Hz的交流電力系統(tǒng)的功率因數(shù)的電容器單元和電容器組。BSMJ型自愈式并聯(lián)電容器單元為矩形、橢圓形或圓柱形金屬外殼，全密封結(jié)構(gòu)，體積小、重量輕；電性能優(yōu)異、功率因數(shù)損耗小，具有自愈性，使用壽命長；該類的容器內(nèi)部具有內(nèi)熔絲，溫度感應(yīng)器，機(jī)械防爆等裝置，安全可靠，維護(hù)方便。

電容器在外施電壓作用下，由于介質(zhì)中的雜質(zhì)或氣隙等弱點(diǎn)的存在或發(fā)展引起介質(zhì)擊穿形成導(dǎo)通電路；接著在導(dǎo)通電路處附近很小范圍內(nèi)的金屬層中流過一個(gè)前沿很陡的脈沖電流。鄰近擊穿點(diǎn)處金屬層上的電流突然上升，按其離擊穿點(diǎn)的距離而成反比分布。

在順時(shí)刻t，半徑為Rt的區(qū)域內(nèi)金屬層的溫度達(dá)到金屬的熔點(diǎn)，于是在此范圍內(nèi)的金屬熔化并產(chǎn)生電弧。該電流引起電容能量釋放，在弧道局部區(qū)域溫度突然升高，壓力突然增大。

隨著放電能量的作用，半徑為Rt的區(qū)域內(nèi)金屬層劇烈蒸發(fā)并伴隨噴濺。在該區(qū)域半徑增大的過程中電弧被拉斷，金屬被吹散并受到氧化與冷卻，破壞了導(dǎo)電通路，在介質(zhì)表面形成一個(gè)以擊穿點(diǎn)為中心的失掉金屬層的圓形絕緣區(qū)域。電容器的自愈過程結(jié)束。

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